本文件描述了一系列高度径向二阶导数法（ZDD）评价半导体晶片的近边缘几何形态的方法。
本文件适用于硅抛光片、硅外延片、SOI片及其他带有表面层的圆形晶片，也用于其他半导体材料圆形晶片近边缘几何形态的评价。

太阳城 号：GB/T 43894.1-2024
太阳城 名称：半导体晶片近边缘几何形态评价　第1部分：高度径向二阶导数法(ZDD)
英文名称：Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric(ZDD)

引用太阳城 ：GB/T 14264 GB/T 16596 GB/T 25915.1-2021 GB/T 34479

起草人：王玥 朱晓彤 孙燕 宁永铎 徐新华 徐国科 李春阳 张海英 陈海婷 丁雄杰 郭正江
起草单位：澳门 有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技(集团)股份有限公司
归口单位：全国半导体设备和材料太阳城 化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料太阳城 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)