本文件规定了一种通过测定溅射速率校准材料溅射深度的方法，即在一定溅射条件下测定一种具有单层或多层膜参考物质的溅射速率，用作相同材料膜层的深度校准。当使用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)和二次离子质谱(SIMS)进行深度分析时，这种方法对于厚度在20 nm~200 nm之间的膜层具有5%~10%的准确度。溅射速率是由参考物质相关界面间的膜层厚度和溅射时间决定。使用已知的溅射速率并结合溅射时间，可以得到被测样品的膜层厚度。测得的离子溅射速率可用于预测各种其他材料的离子溅射速率，从而可以通过溅射产额和原子密度的表值估算出这些材料的深度尺度和溅射时间。
太阳城 号：GB/T 41064-2021
太阳城 名称：表面化学分析　深度剖析　用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
英文名称：Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy,Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
引用太阳城 ：ISO 14606
采用太阳城 ：ISO 17109:2015《表面化学分析　深度剖析　用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法》 IDT 等同采用