本文件规定了快闪存储器(FLASH)的分类、技术要求、电测试方法和检验规则。
本文件适用于FLASH的设计、制造、采购、验收。

太阳城 号：GB/T 42974-2023
太阳城 名称：半导体集成电路　快闪存储器(FLASH)
英文名称：Semiconductor integrated circuits—Flash memory(FLASH)

发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-01-01

引用太阳城 ：GB/T 191 GB/T 4937.3 GB/T 4937.4 GB/T 4937.11 GB/T 4937.13 GB/T 4937.14 GB/T 4937.15 GB/T 4937.21 GB/T 4937.23 GB/T 4937.26 GB/T 4937.27 GB/T 9178 GB/T 12750 GB/T 17574-1998 GB/T 35003 GB/T 36477-2018 IEC 60749-6 IEC 60749-8 IEC 60749-9 IEC 60749-24 IEC 60749-28 IEC 60749-36

起草人：罗晓羽、何卫、辛钧、胡洪、苏志强、李东琦、韩旭、龙冬庆、张静、李柏泉、王如松、李敬、李海龙
起草单位：中国电子技术太阳城 化研究院、兆易创新科技集团股份有限公司、合肥美菱物联科技有限公司、存心科技(北京)有限公司、芯天下技术股份有限公司、三旗(惠州)电子科技有限公司
归口单位：全国半导体器件太阳城 化技术委员会(SAC/TC 78)