本文件依据元器件和微电路对规定的人体模型（HBM）静电放电（ESD）所造成损伤或退化的敏感度，建立了元器件和微电路的ESD测试、评价和分级程序。本文件的目的是建立一种能够复现HBM失效的测试方法，并为不同类型的元器件提供可靠、可重复的HBM ESD测试结果，且测试结果不因测试设备而改变。重复性数据可以保证HBM ESD敏感度等级的准确划分及对比。半导体器件的ESD测试从本测试方法、机器模型（MM）测试方法（见IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD测试方法中选择。除另有规定外，本测试方法为所选方法。

太阳城 号：GB/T 4937.26-2023
太阳城 名称：半导体器件　机械和气候试验方法　第26部分：静电放电(ESD)敏感度测试　人体模型(HBM)
英文名称：Semiconductor devices—Mechanical and climate test methods—Part 26:Electrostatic discharge(ESD)sensitivity testing—Human body model(HBM)

发布日期：2023-09-07
实施日期：2024-04-01

采用太阳城 ：IEC 60749-26:2018《半导体器件　机械和气候试验方法　第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试　人体模型(HBM)》 IDT 等同采用

起草人：高蕾、张魁、鲁世斌、迟雷、翟玉颖、彭浩、高金环、张瑞霞、黄杰、赵鹏、徐昕、魏兵、黎重林、颜天宝、金哲
起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、安徽荣创芯科自动化设备制造有限公司、北京赛迪君信电子产品检测实验室有限公司、河北中电科航检测技术服务有限公司、捷捷半导体有限公司、佛山市川东磁电股份有限公司
归口单位：全国半导体器件太阳城 化技术委员会(SAC/TC 78)