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碳纳米管 硅巢状阵列的制备及物性研究 姜卫粉 著 2016年版

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资源简介
碳纳米管 硅巢状阵列的制备及物性研究
作者:姜卫粉 著
出版时间:2016年版
内容简介
   姜卫粉所*的《碳纳米管硅巢状阵列的制备及物 性研究》采用一种独特的、具有微米纳米复合结构的 硅纳米孔柱阵列为基底,采用化学气相沉积技术制备 出具有微纳复合结构的巢状阵列结构薄膜,然后分别 从碳纳米管/硅巢状阵列的生长工艺、浮动催化裂解 法制备碳纳米管的生长机理、场致发射性能优化、电 阻型与电容型湿度传感器性能的改善、表面增强拉曼 散射性能几方面进行了较为深入的研究。
  本书对这种纳米薄膜材料的研究比较系统、性能 比较全面、所得结论比较深刻,适于作为研究生的教 学参考书,有助于他们在学习纳米薄膜材料的过程中 掌握基本原理和实验方法,也可供从事相关领域研究 的科研人员参考。
目  录
前言
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 CNTs的结构及性能
1.3 CNTs薄膜的制备
1.3.1 移植法制备CNTs薄膜
1.3.2 直接生长法制备CNTs薄膜
1.4 CNTs的生长机理
1.5 CNTs薄膜的应用研究
1.5.1 CNTs的场致发射
1.5.2 CNTs的传感性能
1.6 硅纳米孔柱阵列
1.6.1 Si—NPA的制备
1.6.2 Si—NPA的结构与表面形貌
1.6.3 Si—NPA的场致发射及湿敏性能
1.6.4 Si-NPA酒敏性能研究
1.6.5 Si—NPA存在的问题
1.7 本书研究的内容
第2章 NACNT/Si—NPA的制备及生长机理
2.1 引言
2.2 NACNT/Si-NPA的制备、表面形貌和结构表征及成分分析
2.2.1 NACNT/Si—NPA的制备
2.2.2 不同沉积时间的NACNT/Si—NPA形貌结构及成分表征
2.2.3 不同沉积温度对NACNT/Si—NPA形貌的影响
2.3 NACNT/Si—NPA形成机理
2.3.1 无金属催化剂在Si-NPA上生长CNTs的形成机理
2.3.2 在Si—NPA衬底上预沉积催化剂的CNTs生长机理
2.3.3 NACNT/S卜NPA浮动催化生长过程机理分析
2.4 本章小结
第3章 NACNT/Si—NPA的场致发射性能
3.1 引言
3.2 电子发射基本原理
3.2.1 场致电子发射基本原理
3.2.2 场致发射性能评价指标及可采取的优化措施
3.3 NACNT/Si—NPA的场致电子发射
3.3.1 场致发射测试
3.3.2 不同温度制备的NACNT/Si—NPA的场致发射性能
3.3.3 极限场强测试
3.3.4 NACNT/Si—NPA尚未解决的问题
3.4 本章小结
第4章 NACNT/Si-NPA湿敏性能研究
4.1 引言
4.2 湿敏测试试验设计
4.2.1 湿度标定系统的设计
4.2.2 湿度信号的检测
4.2.3 湿度传感器的特征参数
4.3 电阻式NACNT/Si-NPA湿敏元件性能测试及分析
4.3.1 电阻式NACNT/Si-NPA湿敏元件的制作
4.3.2 湿敏元件感湿特性的测试
4.4 电容式NACNT/Si-NPA湿敏元件性能测试及分析
4.4.1 湿敏元件的制备及其形貌和结构表征
4.4.2 Si-NPA及NACNT/Si-NPA电容湿敏性能测试及分析
4.5 本章小结
第5章 Au/NACNT/Si-NPA的SERS效应研究
5.1 引言
5.2 SERS增强原理、应用及活性基底研究进展
5.2.1 拉曼散射与SERS
5.2.2 SERS增强原理
5.2.3 SERS光谱的分析
5.2.4 sERs在生命科学中的应用
5.2.5 SERS活性基底
5.3 Au/NACNT的SERS性能研究
5.3.1 Au/NACNT的制备及SERS性能测试
5.3.2 Au/NACNT的形貌结构及性能
5.4 结论
参考文献


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