低维量子器件物理
出版时间：2012年版
内容简介
　　低维量子器件是微纳电子技术研究的核心，低维量子器件物理是现代半导体器件物理的一个重组成部分。它的主要研究对象是低维量子器件的设计制作，器件性能与载流子输运动力学等内容。《低维量子器件物理》主要以异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、共振隧穿电子器件、单电子器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主，比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性，并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。
目录
序
前言
第1章　绪论
　1．1低维量子器件的发展历史
　　1．1．1低维电子输运器件
　　1．1．2低维光电子器件
　1．2低维量子器件的未来预测
　　1．2．1纳米光子器件
　　1．2．2磁性纳米器件
　　1．2．3有机纳米器件
　　1．2．4量子信息处理器件
　参考文献
第2章　低维量子结构的物理性质
　2．1低维量子结构的能带特征
　　2．1．1异质结的能带特点
　　2．1．2 A1xGal-xAs／GaAs调制掺杂异质结
　　2．1．3 GexSil-x／Si异质结
　　2．1．4超晶格的能带结构
　2．2低维量子结构中的电子状态
　　2．2．1调制掺杂异质结三角形势阱中的电子状态
　　2．2．2二维量子阱中的电子状态
　　2．2．3一维量子线中的电子状态
　　2．2．4零维量子点中的电子状态
　2．3低维量子结构中的激子状态
　　2．3．1量子阱中的激子
　　2．3．2量子点中的激子
　2．4低维量子结构中的载流子输运
　　2．4．1二维电子气的散射机构
　　2．4．2双势垒结构的共振隧穿输运
　　2．4．3异质结中热电子的实空间转移
　　2．4．4零维体系的库仑阻塞现象
　2．5低维量子体系的光学性质
　　2．5．1量子阱中的二维激子特性
　　2．5．2量子阱的发光特性
　　2．5．3零维体系的量子尺寸效应
　参考文献
第3章　异质结双极晶体管
　3．1 HBT的器件结构
　　3．1．1 A1GaAs／GaAs HB
　　3．1．2 InGaP／GaAs HBT
　　3．1．3 InGaAs／InP HBT
　　3．1．4 SiGe／Si HBT
　3．2不同能带形式的HBT
　　3．2．1宽带隙发射区HBT
　　3．2．2缓变基区HBT
　　3．2．3宽带隙集电区HBT
　3．3 HBT中的载流子输运过程
　　3．3．1宽带隙发射区HBT中的载流子输运
　　3．3．2缓变基区HBT中的载流子输运
　　3．3．3 HBT发射区一基区空间电荷区中的载流子复合
　　3．3．4宽带隙集电区HBT中的载流子输运
　3．4 HBT的器件特性
　　3．4．1电流增益
　　3．4．2电流电压特性
　　3．4．3频率特性
　　3．4．4温度特性
　3．5 SiGe／Si HBT的器件性能
　　参考文献
第4章　　高电子迁移率晶体管
　4．1调制掺杂异质结中的二维电子气
　　4．1．1 2DEG的面密度
　　4．1．2 2DEG的迁移率
　4．2 HEMT的工作特性
　　4．2．1阈值电压
　　4．2．2跨导
　……
第5章　共振隧穿电子器件
第6章　单电子输运器件
第7章　量子结构激光器
第8章　量子结构红外探测器
第9章　量子结构太阳电池
第10章　其他低维量子器件简介
参考文献