半导体激光器能带结构和光增益的量子理论 下册
出版时间：2016年版
内容简介
　　量子理论是研究半导体激光器中：①体半导体、量子阱、量子线、量子点等增益介质的电子能谱结构，及其②电子与辐射光场的相互作用，包括光的产生、吸收、放大和散射等涉及不同能带之间、能带以内不同子带或各种晶格缺陷和杂质能级之间的光跃迁和非光跃迁、带内散射和弛豫等决定半导体激光器涉及光电性能的重要量子行为。其中①和②分别用单电子近似理论和半经典理论处理。任务是研究对半导体激光器的激射阈值、激光功率、调制速率、器件结构和激光波段等的设计都有根本意义的激光材料光增益谱结构和激光量子效率等。《半导体激光器设计理论3：半导体激光器能带结构和光增益的量子理论（下册）》论述既重基础又涉前沿，既重物理概念又重推导编程演算，书末对全量子理论也有简要的介绍。《半导体激光器设计理论3：半导体激光器能带结构和光增益的量子理论（下册）》适合有关专业的研究人员和教师、研究生、大学高年级本科生、作为专业课本、参考书或自修提高的读物。
目录
总序 第2章 半导体能带之间的跃迁 2．3 光跃迁的量子力学 2．3．3 连续能态在能级跃迁中的作用 2．3．4 带内弛豫及其谱线展宽 2．3．5 量子阱结构的带间光跃迁谱 2．3．6 光跃迁动量矩阵元的计算 2．3．7 间接带隙半导体的带间光跃迁 2．3．8 与杂质有关的光跃迁一无七选择定则 2．3．9 能带的非抛物性及其影响 2．3．10 多体相互作用的能带隙重整化 2．3．11 量子阱中的能带混合效应及其影响 2．3．12 大应变对增益的影响 2．3．13 应变程度的极限 2．3．14 量子阱微分增益及其作用 2．3．15 折射率（势垒）渐变分别限制量子阱的增益 2．3．16 量子阱激光器的激射阈值 2．4 温度对阈值的影响——％问题 2．4．1 总论 2．4．2 俄歇复合过程的量子理论 2．4．3 价带间光吸收过程 2．4．4 温度对光增益谱的影响 2．4．5 数值结果与讨论． 第3章 半导体带内能态之间的跃迁和量子光学 3．1 量子阱中的子带间光跃迁 3．1．1 子带间光吸收 3．1．2 子带间光发射 3．1．3 QCL能谱和波函数设计 3．2 量子阱中电子子带能级的寿命时间 3．2．1 决定能级寿命的散射过程 3．2．2 量子阱结构中载流子的非平衡收集过程 3．3 辐射的全量子理论和半经典理论的极限 3．3．1 辐射及其波粒二重性 3．3．2 辐射场的量子化 3．3．3 辐射的吸收和发射 3．3．4 相干函数 3．3．5 相干态 3．3．6 半经典理论和量子电动力学 3．3．7 量子力学的基本公设、表象与图像 附录A 数值计算分析的编程 A-1 函数值的计算分析和二维绘图 A-2 方程求解、函数计算和绘图 A-3 三维绘图 附录B 基本物理常数的数值和单位量纲 索引