半导体科学与技术丛书 Ⅲ族氮化物发光二极管技术及其应用
作者： 李晋闽，王军喜，刘哲 著
出版时间：2016年版
内容简介
　　《Ⅲ族氮化物发光二*管技术及其应用》及其研究团队多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物发光二*管的材料外延、芯片制作、器件封装和系统应用，内容集学术性与实用性为一体。*书共12章，内容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性质及外延生长理论，InGaN/GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术、关键制备工艺、封装技术及可靠性分析，LED的应用，*后介绍了当前氮化物LED的一些研究前沿和热点。
　　《Ⅲ族氮化物发光二*管技术及其应用》可供从事氮化物发光材料及半导体照明领域相关的科研人员、研究生与企业研发人员等阅读参考。
目录
《半导体科学与技术丛书》出版说明
前言

第1章 绪论
参考文献

第2章 LED的基本原理
2．1 LED发光原理
2．2 辐射复合与非辐射复合
2．3 LED的光学特性与电学特性
2．4 白光LED原理
参考文献

第3章 Ⅲ族氮化物LED材料的性质与测试
3．1 Ⅲ族氮化物的晶体结构和能带结构
3．2 Ⅲ族氮化物材料的极化效应
3．3 Ⅲ族氮化物LED材料的掺杂
3．4 Ⅲ族氮化物材料性质测试分析
参考文献

第4章 Ⅲ族氮化物LED材料的外延生长
4．1 外延生长基本模式
4．2 Ⅲ族氮化物LED外延生长的衬底
4．3 Ⅲ族氮化物LED外延技术
4．4 MOCVD生长氮化物材料的两步生长法
4．5 Ⅲ族氮化物材料外延层生长条件对材料质量的影响
4．6 SiC衬底上高质量GaN的外延技术
参考文献

第5章 InGaN／GaN多量子阱材料及蓝、绿光LED
5．1 InGaN材料体系简介
5．2 InGaN／GaN多量子阱材料中的极化效应
5．3 量子限制斯塔克效应
5．4 InGaN／GaN多量子阱中的载流子局域化
5．5 绿光LED及非极性、半极性LED
参考文献

第6章 AIGaN基多量子阱材料及紫外LED
6．1 AlGaN材料体系简介
6．2 AlGaN材料的光学特性和电学特性
6．3 AlGaN材料外延生长和掺杂技术
6．4 紫外LED的结构设计及制备
参考文献

第7章 Ⅲ族氮化物LED量子效率提升技术
7．1 LED的三种结构
7．2 内部量子效率提升技术
7．3 光取出效率提升技术
7．4 电流注入效率提升技术
7．5 Droop效应
参考文献

第8章 Ⅲ族氮化物LED的关键制备工艺
8．1 Ⅲ族氮化物LED制备工艺流程
8．2 光刻工艺
8．3 刻蚀工艺
8．4 蒸发和溅射
8．5 欧姆接触
8．6 倒装结构LED的关键工艺
8．7 垂直结构LED的关键工艺
8．8 交流／高压LED的关键工艺
参考文献

第9章 Ⅲ族氮化物LED的封装
9．1 Ⅲ族氮化物LED封装材料
9．2 Ⅲ族氮化物LED封装工艺
9．3 LED封装技术
9．4 封装及系统散热技术
9．5 封装形式的发展趋势
参考文献

第10章 Ⅲ族氮化物LED器件的可靠性分析
10．1 失效模式和失效分析
10．2 LED老化测试和老化机制
10．3 LED系统可靠性
参考文献

第11章 LED的应用
11．1 新型光环境技术
11．2 可见光通信应用系统
11．3 LED显示
11．4 植物照明应用
11．5 医疗应用
参考文献

第12章 新型氮化物LED技术
12．1 GaN基纳米柱LED
12．2 量子点LED
12．3 表面等离激元增强GaN基LED
12．4 GaN基偏振光LED
参考文献
索引