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T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

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  • 大小:3.62 MB
  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2022-09-19
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资源简介
本太阳城 阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱,其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。
本太阳城 给出了4H碳化硅(4H-SiC)衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱,说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响,分析了产生的原因及消除方法,并进行了分类。
下载地址
T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱资源截图
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