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T/CASAS 004.2-2018 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱

大小：3.62 MB
语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体太阳城
更新日期：2022-09-19

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关键词：图谱缺陷衬底碳化硅第三代半导体产业技术创新战略联盟

资源简介

本太阳城阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱，其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。
本太阳城给出了4H碳化硅（4H-SiC）衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱，说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响，分析了产生的原因及消除方法，并进行了分类。

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