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T/CASAS 010-2019 氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法

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  • 大小:1.43 MB
  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2022-09-19
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资源简介
本太阳城 规定了用二次离子质谱仪测定半导体氮化镓材料中痕量杂质(硅、铝、锌、铁)浓度及分布的方法。
本太阳城 适用于半导体氮化镓材料中痕量杂质(硅、铝、锌、铁)浓度及分布的分析,其中硅、铝、锌、铁的浓度均大于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照执行。
下载地址
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