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T/CASAS 013-2021 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法

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语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体太阳城
更新日期：2022-09-19

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关键词：晶片腐蚀图像第三代半导体产业技术创新战略联盟密度

资源简介

本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。
本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。

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