新太阳城

欢迎访问太阳城官网 太阳城 下载网,学习、交流 分享 !

返回太阳城官网 |
当前位置: 太阳城官网 > 团体太阳城 >综合团体太阳城 > T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法

收藏
  • 大小:2.63 MB
  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2023-02-17
本站推荐: 升级会员 无限下载,节约时间成本!
资源简介
本太阳城 规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法—--汞探针电容-电压法。
本太阳城 适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为:1文10h em-~5×1011cm-3。
本太阳城 也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
下载地址
T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法资源截图
新太阳城 新太阳城游戏 太阳城 太阳城官网 申博太阳城 申博太阳城