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T/IAWBS 003-2017 碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法

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大小：2.63 MB
语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体太阳城
更新日期：2023-02-17

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关键词：汞探针电容电压法浓度载流子碳化硅中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

资源简介

本太阳城规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法—--汞探针电容-电压法。
本太阳城适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为:1文10h em-~5×1011cm-3。
本太阳城也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。

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