新太阳城

<tfoot id='q15vp'></tfoot>

<legend id='q15vp'><style id='q15vp'><dir id='q15vp'><q id='q15vp'></q></dir></style></legend>

<i id='q15vp'><tr id='q15vp'><dt id='q15vp'><q id='q15vp'><span id='q15vp'><b id='q15vp'><form id='q15vp'><ins id='q15vp'></ins><ul id='q15vp'></ul><sub id='q15vp'></sub></form><legend id='q15vp'></legend><bdo id='q15vp'><pre id='q15vp'><center id='q15vp'></center></pre></bdo></b><th id='q15vp'></th></span></q></dt></tr></i><div id='q15vp'><tfoot id='q15vp'></tfoot><dl id='q15vp'><fieldset id='q15vp'></fieldset></dl></div>

<li id='q15vp'><abbr id='q15vp'></abbr></li>

欢迎访问太阳城官网太阳城下载网，学习、交流分享！

返回太阳城官网 |

当前位置: 太阳城官网 > 团体太阳城 >综合团体太阳城 > T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法

收藏

大小：456 KB
语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体太阳城
更新日期：2023-02-17

本站推荐：升级会员无限下载,节约时间成本！

关键词：单晶片涡流法导电碳化硅电阻率中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

资源简介

本太阳城规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。
本太阳城适用于200μm 到1000μm 厚的碳化硅单晶片。
本太阳城适用于电阻率0.005Ω·cm 到200Ω· cm 和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。

下载地址

点击进入下载地址列表

T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法资源截图

上一篇: T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法

下一篇: T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法

立即下载

推荐信息

T/GIA 003-2020 县市(地)级城市生态环境保护规划编制指南

T/TAF 077.17-2021 APP收集使用个人信息最小必要评估规范身份信息

T/CHEAA 0014-2020 电动冲牙器

T/CFLP 0027-2020 国有企业采购管理规范

T/CNITA 09102-2018 卫生棉条

T/CAQI 169-2021 无人船船载水质监测系统

T/CSAE 162-2020 乘用车悬架系统台架试验性能要求及方法

T/CAQI 76-2019 石英质玉（金丝玉）鉴定与分类

T/ZZB 2081-2021 蓄电池平衡重式叉车

T/ZZB 0263-2017 风力发电用高强度螺栓、螺母和垫圈

新太阳城新太阳城游戏太阳城太阳城官网申博太阳城申博太阳城