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T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法

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语言：中文版
格式： PDF文档
类别：综合团体太阳城
更新日期：2023-02-17

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关键词：单晶片电阻率碳化硅半绝缘中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟

资源简介

本太阳城规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。
本太阳城适用于电阻率测量范围: 105Ω•cm-1012Ω•cm；样品直径：50.8mm-200mm；样品厚度范围：250μm—5000μm 的衬底。

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