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T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200mm硅外延片

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  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2023-03-04
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资源简介
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片(以下简称硅外延片)的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm~80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件(简称高压MOSFET)。
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