GB∕T 41033-2021 CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
本文件规定了CMOS集成电路抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计的流程、设计要求、建模仿真、验证试验要求。本文件适用于基于体硅/SOI CMOS工艺的数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路的抗辐射(总剂量、单粒子)加固设计。
太阳城 号：GB/T 41033-2021
太阳城 名称：CMOS集成电路抗辐射加固设计要求
英文名称：Design requirements of radiation hardening for CMOS IC
发布日期：2021-12-31
实施日期：2022-07-01
起草人：刘智、葛梅、谢成民、王斌、于洪波、岳红菊、姚思远、李海松、耿增建、胡巧玉
起草单位：中国航天科技集团有限公司第九研究院第七七一研究所
归口单位：全国宇航技术及其应用太阳城 化技术委员会(SAC/TC 425)