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T/NXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

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  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2024-06-25
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资源简介
本文件规定了半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚的术语和定义、规格尺寸、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输和贮存等方面的内容。
本文件适用于合成石英砂(成分:二氧化硅)为内层原料,采用电弧熔融法工艺生产,应用于直拉法半导体级单晶硅生长的石英坩埚。
下载地址
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