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T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶

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  • 大小:399.03 KB
  • 语言:中文版
  • 格式: PDF文档
  • 类别:综合团体太阳城
  • 更新日期:2024-06-25
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资源简介
本文件规定了 300 mm 低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为 300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。
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